2024.04.24
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P6功率模塊具有750V及1200V電壓等級,對于750V IGBT模塊,電流等級包括:660A、820A、950A,對于1200V IGBT模塊,電流等級包括:400A、600A,滿足車用系統高功率密度的需求。模塊采用三相橋電路,內部采用多芯片并聯設計,具有更高的能量傳輸效率。IGBT模塊采用低電感、高效散熱封裝設計。功率端子采用疊層式封裝,有效降低線路分布電感。模塊采用pinfin水冷散熱基板和平面基板兩種版本,模塊內部采用高熱導率、高可靠性HPS和AMB散熱絕緣基板。模塊內部功率端子采用超聲波焊接工藝技術,有效提升功率循環能力。模塊采用標準封裝形式,兼容國內外產品。